【瓷片電容】瓷片電容的讀數(shù)方法 瓷片電容有什么作用

瓷片電容的讀數(shù)方法

電容器容量的表示方法

電容器容量的基本單位是“法拉”（F），1法拉的 1/1000000 （百萬分之一）是1微法（μF），1微法的 1/1000000是1pF （1微微法或1皮法）。它們之間的關(guān)系是百萬（或稱10的6次方）進(jìn)位關(guān)系。

我們常用的電容有：

1、電解電容：多數(shù)在1μF以上，直接用數(shù)字表示。如：4.7μF、100μF、220μF等等。這種電容的兩極有正負(fù)之分，長腳是正極。

2、瓷片電容：多數(shù)在1μF以下，直接用數(shù)字表示。如：10、22、0.047、0.1等等，這里要注意的是單位。凡用整數(shù)表示的，單位默認(rèn)pF；凡用小數(shù)表示的，單位默認(rèn)μF。如以上例子中，分別是10P、22P、0.047μF、220μF等。

現(xiàn)在國際上流行另一種類似色環(huán)電阻的表示方法（單位默認(rèn)pF）：

如：“473”即47000pF=0.047μF，“103”即10000pF=0.01μF等等，“ XXX”第一、二個數(shù)字是有效數(shù)字，第三個數(shù)字代表后面添加0的個數(shù)。這種表示法已經(jīng)相當(dāng)普遍。

瓷片電容的讀數(shù)方法

瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同，分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000納法 （nF），1納法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10μF/16V；

容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示；

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；

數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。

例如：102表示標(biāo)稱容量為1000pF。

211表示標(biāo)稱容量為210pF。

214表示標(biāo)稱容量為21x10（4）pF。

在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。例如：219表示標(biāo)稱容量為21x（10-1）pF=2.2pF。

瓷片電容規(guī)格有哪些

瓷片電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器。

瓷片電容有什么作用

1、容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性；

2、特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性；

3、高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器如消除高頻干擾。

瓷片電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因介電常數(shù)不高，所以容量做不大；II類瓷，X7R次之，溫度特性和電壓特性較好；III類瓷，介電常數(shù)高，所以容量可以做很大，但溫度特性和電壓特性不太好。瓷片電容器一般體積不大。另外，再強(qiáng)調(diào)一個重要特點(diǎn)：瓷介電容器擊穿后，往往呈短路狀態(tài)。（這是它的弱點(diǎn)）而薄膜電容器失效后，一般呈開路狀態(tài)

瓷片電容規(guī)格Ⅱ類瓷也叫做高介電常數(shù)型（High Dielectric Constant Type），是適用於作旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中的具有高介電常數(shù)的一種電容器。該類陶瓷介質(zhì)是以在類別溫度范圍內(nèi)電容量非線性變化來表徵。其特性符合以下標(biāo)準(zhǔn)：

用途：1）旁路和耦合；2）對Q值和容量穩(wěn)定性要求一般的分步電路。